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    光电工程学院张彤博士发表最新研究成果

    发布时间:2018-09-17 浏览量:

    近日,光电工程学院张彤博士在国际知名期刊《Applied Surface Science》上在线发表了最新研究成果,张彤博士为第一作者,捷报比分光电工程学院为第一完成单位。

    现代电子电路中,为了使失效安全和电路结构设计简单,通常采用P型半导体耗尽AlGaN / GaN异质结构中二维电子气(2DEG)的方法使阈值电压达到正开启(常关)状态,由于目前微纳加工中P型GaN刻蚀技术难以掌控,因此本研究采用工艺简单的p-NiO作为栅级。研究结果表明,与Ni/Au栅极器件(常开型)相比,p-NiO栅极器件的阈值电压发生正向移动。分析结果显示,阈值电压的正向移动与NiO和AlGaN之间较高的能带偏移有关,通过拟合XPS光谱,得到NiO和AlGaN之间价带和导带的偏移为1.6eV和1.4eV(NiO薄膜的带隙为3.6 eV)。研究结果为进一步制作常关型功率器件打下了基础。

    该研究工作得到了国家自然科学基金(2017YFB0403000)等的支持。

    (文/科技处)